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Diodo de barreira de Schottky de 150 V SBD115D1 Corrente de fuga inversa de 30 μA

MOQ: 3000PCS/REEL
Intervalo de temperatura de funcionamento e de temperatura de armazenamento -55 a +150℃
Capacidade de junção típica a VR=0V 85 pF
Corrente retificada média 1A
Corrente de vazamento inversa no VRRM 30 μA
Voltagem máxima para a frente a IF=1A 0.85V
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Diodo Schottky 50V 2A com -65 a 125°C

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