SBD120D1 Diodo de barreira de Schottky 200 V Pico máximo repetitivo de tensão inversa Diodo de componente electrónico

Descrição do produto:

com uma temperatura de funcionamento entre -55°C e +150°C e uma temperatura de armazenamento entre -55°C e +150°C,Este diodo é altamente confiável e pode suportar temperaturas extremas sem perder a sua funcionalidadePossui uma tensão inversa máxima de pico repetitivo de 200 V, tornando-a adequada para utilização em vários projectos de circuitos.

O nosso diodo de barreira Schottky tem uma corrente de fuga inversa de 30μA no VRRM, o que garante um desempenho e uma eficiência ótimos.tornando-se uma escolha ideal para aplicações de alta corrente de onda avançadaEste diodo é perfeito para utilização em várias aplicações electrónicas, incluindo fontes de alimentação, reguladores de tensão e conversores CC-CC.

Além disso, este diodo tem uma classificação típica de capacidade de junção de 85pF em VR = 0V, tornando-se uma excelente escolha para uso em circuitos que exigem comutação de alta velocidade e baixo ruído.É um dispositivo semicondutor versátil e confiável que pode ser usado em uma ampla gama de aplicações eletrônicas.

O nosso Diodo de Barreira Schottky é um dispositivo semicondutor que é um componente essencial em vários projetos de circuitos.É altamente fiável e pode suportar temperaturas extremas sem perder a sua funcionalidadeEste diodo tem uma tensão inversa máxima de pico repetitivo de 200 V, uma corrente de fuga inversa de 30 μA no VRRM e uma corrente rectificada média de 1 A,tornando-o ideal para aplicações de alta corrente de onda avançadaAlém disso, possui uma classificação típica de capacidade de junção de 85 pF em VR = 0V, tornando-se uma excelente escolha para uso em circuitos que exigem comutação de alta velocidade e baixo ruído.

Características:

• Nome do produto: Diodo de barreira Schottky
• Temperatura de funcionamento da junção e faixa de temperatura de armazenamento: -55 a +150°C
• Corrente de vazamento inversa na VRRM: 30μA
• Voltagem inversa máxima de pico repetitivo: 200 V
• Tensão máxima para a frente a IF=1A: 0,85V
• Capacidade nominal típica de junção a VR=0V: 85 pF
• Tipo de produto: Diodo eletrostático
• Categoria do produto: Rectificadores de barreira de Schottky montados na superfície
• Produtos conexos: Transistores triódicos de diodo

Parâmetros técnicos:

Este quadro apresenta os parâmetros técnicos de um retificador de barreira de Schottky montado na superfície.uma corrente rectificada média de 1 A, uma corrente de vazamento inverso a VRRM de 30 μA, uma gama de temperatura de junção de funcionamento e de temperatura de armazenamento de -55 a +150 °C, uma tensão inversa máxima de pico repetitivo de 200 V,uma tensão máxima RMS de 140 V, e uma tensão de bloqueio de corrente contínua máxima de 200 V.

Aplicações:

O diodo de barreira de Schottky SBD120D1 é um diodo rectificador de ponte projetado para lidar com uma corrente rectificada média de 1A. Tem uma classificação típica de capacidade de junção de 85pF em VR = 0V,que o torna adequado para aplicações que exigem velocidades de comutação rápidasEste componente electrónico de diodo pode operar num vasto intervalo de temperatura de -55 a +150°C, tornando-o ideal para utilização em ambientes adversos.

A tensão inversa máxima repetitiva do pico para o diodo de barreira SBD120D1 Schottky é de 200 V e tem uma corrente de vazamento inversa de 30 μA no VRRM.Isso faz com que seja uma escolha confiável para aplicações que exigem retificação de alta tensão e corrente de baixa fuga.

O SBD120D1 Schottky Barrier Diode é comumente usado em várias aplicações, incluindo fontes de alimentação, carregadores de bateria, reguladores de voltagem e conversores DC-DC.Também é adequado para uso em amplificadores de áudio, detectores de RF e misturadores.

No geral, o SBD120D1 Schottky Barrier Diode é um diodo de componentes eletrônicos de alta qualidade que oferece desempenho confiável e uma ampla gama de aplicações.As suas certificações e a sua fabricação rentável tornam-na uma escolha ideal para os fabricantes que procuram um componente electrónico de diodo fiável e rentável.

Personalização:

- Local de origem: Shenzhen, China

- Certificação: REACH, RoHS, ISO

- Quantidade mínima de encomenda: 3000 PCS/REEL

- Detalhes da embalagem: por bobina de plástico de 7"

- Voltagem inversa máxima de pico repetitivo: 200V

- Tensão máxima RMS: 140V

- Intervalo de temperatura de funcionamento e de armazenagem: -55 a +150°C

- Capacidade de junção típica a VR=0V: 85 pF

- Corrente de vazamento inversa a VRRM: 30 μA

Este produto é um semicondutor e diodo eletrostático de corrente de alta onda.

Perguntas frequentes:

P: Qual é a marca deste produto Schottky Barrier Diode?

R: A marca deste produto é Socay.

P: Qual é o número de modelo deste Diodo de Barreira Socay Schottky?

R: O número de modelo deste produto é SBD120D1.

P: Onde é fabricado este Diodo de Barreira Socay Schottky?

R: Este produto é fabricado em Shenzhen, China.

P: Que certificações tem este Diodo de Barreira Socay Schottky?

R: Este produto possui as seguintes certificações: REACH, RoHS e ISO.

P: Qual é a quantidade mínima de encomenda para este Diodo de Barreira Socay Schottky?

R: A quantidade mínima de encomenda para este produto é de 3000 PCS/REL.

P: Como é embalado este Diodo de Barreira Socay Schottky?

R: Este produto é embalado por bobina de plástico de 7".