20V Repetitivo Pico Voltagem Reversa SS12A Schottky Diodo de Barreira SMA Pacote

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20V Repetitivo Pico Voltagem Reversa SS12A Schottky Diodo de Barreira SMA Pacote
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Características
Especificações
nome componente: Diodo de barreira de Schottky
Tipo de embalagem: DO-214AC (SMA)
VRRM: 20 V
Vrms: 14V
VDC: 20 V
SE (AVOIRDUPOIS): 1A
IFSM: 40A
dv/dt: 10000 V/μs
Informação básica
Lugar de origem: Shenzen, Guangdong, China
Marca: SOCAY
Certificação: REACH,RoHS,ISO
Número do modelo: SS12A
Condições de Pagamento e Envio
Tempo de entrega: 5-8 dias úteis
Descrição de produto

20V Repetitivo Pico Voltagem Reversa SS12A Schottky Diodo de Barreira SMA Pacote

 

Diodo de barreira de Schottky FOLHA DE DADOS:SS12A~SS120A ((SMA)_v2211.1.pdf

 

 

Características do diodo de barreira de Schottky:

  • Pacote de baixo perfil
  • Ideal para colocação automatizada
  • Tempo de recuperação inversa ultrarápido
  • Baixas perdas de energia, alta eficiência
  • Baixa queda de tensão para a frente
  • Capacidade de alta onda
  • Soldadura a alta temperatura:
  • 260°C/10 segundos nos terminais

    Componente em conformidade com o RoHS 2002/95/1 e o RAEE 2002/96/CE

 

Dados mecânicos do diodo de barreira Schottky:

  • Caso: JEDEC DO-214AC plástico moldado
  • Terminais: soldados, soldáveis de acordo com o J-STD-002B e o JESD22-B102D
  • Polaridade: banda de laser indica o extremo do cátodo

 

Diodo de barreira de Schottky Nivel de classificação e características principais:

Eu...F (((AV) 1.0A
VRRM 20 V a 200 V
Eu...FSM 40A
VF 00,50 V, 0,55 V, 0,70 V, 0,85 V,0.95V
TJ Max. 125°C

 

 

 

 

Diodo de barreira de Schottky (TA= 25°C, salvo indicação em contrário):

Números Símbolo SS12A SS13A SS14A SS15A SS16A SS18A SS110A SS115A SS120A Unidade

Pico máximo repetitivo

tensão inversa

VRRM 20 30 40 50 60 80 100 150 200 V
Tensão máxima RMS VRMS 14 21 28 35 42 56 70 105 140 V

CC máximo

tensão de bloqueio

VDC 20 30 40 50 60 80 100 150 200 V

Previsão média máxima

corrente retificada

 

Eu...F(AV) 1 A

Corrente máxima de onda para a frente

80,3 ms de meia onda sinusoidal única

Superpostos sobre a carga nominal

 

Eu...FSM

40 A

Taxa de variação da tensão

(classificado V)R)

dv/dt 10000 V/μs

Resistência térmica de

junção com chumbo(a)

RθJL 35 °C/W

Junção de funcionamento e armazenamento

faixa de temperatura

TJTGST ¢65 a +125 °C
Nota 1: Montado em PCB com uma área de almofada de cobre de 0,2 x 0,2 ′′ (5,0 x 5,0 mm).

 

 

 

Características elétricas do diodo de barreira de Schottky (T)A= 25°C, salvo indicação em contrário):

Números Condições de ensaio Símbolo SS12A

SS13A~

SS14A

SS15A~

SS16A

SS18A~

SS110A

SS115A~

SS120A

Unidade
Voltagem para a frente instantânea IF=1,0A(2) VF 0.50 0.55 0.70 0.85 0.95 V
Corrente inversa VR=VDC Tj=25°C IR 0.5 mA
    Tj=100°C   5.0  
Nota 2: Ensaio de pulso: largura de pulso de 300 μs, 1% do ciclo de funcionamento.

 

 

 

 

Diodo de barreira Schottky SS12A Dimensões do diodo:

20V Repetitivo Pico Voltagem Reversa SS12A Schottky Diodo de Barreira SMA Pacote 0

 

 

 

Diodo de barreira Schottky SS12A Aviso:

  • O produto destina-se a ser utilizado em aplicações electrónicas gerais.
  • O produto deve ser trabalhado menos do que as qualificações; se ultrapassado, pode causar danos permanentes ou introduzir mecanismos de falha latente.
  • Os valores máximos absolutos são valores nominais e não devem ser excedidos durante o funcionamento.

Eu...F (((AV)Recomendamos que a corrente no pior dos casos não seja superior a 80%.

Eu...FSM: Esta classificação especifica a corrente de pico não repetitiva, aplicada apenas para uma operação anormal, que é geral durante a vida útil do dispositivo.

TJ: Para garantir uma elevada fiabilidade, deve-se diminuir esta classificação quando se utiliza um dispositivo.Jde temperatura inferior a 100°C.

 

 

20V Repetitivo Pico Voltagem Reversa SS12A Schottky Diodo de Barreira SMA Pacote 1

 

 

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