100VRRM Diodo de barreira de superfície montado Schottky SS810C 70VRMS Pacote SMC de tensão

3000 PCS
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negotiable
preço
100VRRM Diodo de barreira de superfície montado Schottky SS810C 70VRMS Pacote SMC de tensão
Características Galeria Descrição de produto Peça umas citações
Características
Especificações
nome componente: Diodo de barreira de Schottky
Pacote componente: DO-214AAB/SMC
Max. VRRM: 100 V
Componente Max. VRMS: 70V
Produto máximo. VDC: 100 V
SS810C IF(AV): 8A
VF em 8A: 0.8V
SS810C IR: 50 μA
Destacar:

SS810C

,

Diodo de barreira de Schottky de superfície

,

SS810C Diodo de barreira Schottky

Informação básica
Lugar de origem: Shenzen, Guangdong, China
Marca: SOCAY
Certificação: REACH,RoHS,ISO
Número do modelo: SS810C
Condições de Pagamento e Envio
Tempo de entrega: 5-8 dias úteis
Descrição de produto

100VRRM Diodo de barreira de superfície montado Schottky SS810C 70VRMS Pacote SMC de tensão

 

Diodo de barreira de Schottky SS810C FOLHA DE DATOS:SS810C ((SMC)_v94.1.pdf

 

 

Diodo de barreira Schottky SS810C Características são as seguintes:

  • Diodo de barreira Schottky SS810C embalagem de plástico é UL94V-0.
  • Para aplicações de montagem de pacotes de superfície é a fim de otimizar o espaço da placa.
  • SS810C tem baixa perda de energia, alta eficiência.
  • SS810C Composto de moldagem verde conforme a norma IEC 61249.

  • Este co-componente tem alta capacidade de ondas.
  • O Diodo de Barreira Schottky, livre de chumbo, está em conformidade com a UE RoHS 2.0.

 

Diodo de barreira Schottky SS810C Dados mecânicos:

  • Diodo de barreira Schottky SS810C Funda: plástico moldado JEDEC DO-214AB.
  • Os seus terminais: Soldados, soldáveis de acordo com o MIL-STD-750, Método 2026.
  • Diodo de barreira de Schottky SS810C Polaridade: faixa de cor denota a extremidade do cátodo.
  • Embalagem padrão: fita de 16 mm (EIA-481).
  • Diodo de Barreira Schottky SS810C Aproximadamente, peso: 0,0082 onças, 0,2325 gramas.

 

 

MA. Classificaçõese Características elétricas do diodo de barreira Schottky SS810C:

SS810C Capacidades nominais a temperatura ambiente de 25 °C, salvo especificação em contrário. Carga resistiva ou indutiva.
Parâmetro SS810C Símbolo SS810C Unidade SS810C
Diodo de barreira de Schottky Max. Voltagem inversa de pico recorrente VRRM 100 V
Diodo de barreira de Schottky Tensão máxima RMS VRMS 70 V
Diodo de barreira Schottky Max. VDC VDC 100 V
Diodo de barreira de Schottky Corrente média máxima para a frente IF ((AV) 8 A
Corrente de onda de pico para a frente: 8,3ms Meia onda sinusoidal única sobreposta à carga nominal IFSM 150 A
SS810C Tensão máxima para a frente a 8A VF 0.8 V
Corrente inversa de corrente contínua máxima a tensão de bloqueio de corrente contínua nominal IR 50 μA
Diodo de barreira de Schottky Resistência térmica típica (Nota 1) RθJL 15 °C/W
  (Nota 2) RθJA 110  
SS810C Intervalo de temperatura da junção de funcionamento e de armazenamento TJ, TSTG -55 a +150 °C

Observações: 1. Montado num PCB FR4, de cobre unilateral, com uma área de 100 cm2 de almofada de cobre.

2Montado num PCB FR4, de cobre de lado único, mini pad.

 

 

 

 

Diodo de barreira Schottky SS810C Classificação e curvas de características:

Figura 1. Diodo de barreira de Schottky SS810C Curva de degradação da temperatura de funcionamento:

100VRRM Diodo de barreira de superfície montado Schottky SS810C 70VRMS Pacote SMC de tensão 0

 

Fig. 2 Características típicas do prospecto

100VRRM Diodo de barreira de superfície montado Schottky SS810C 70VRMS Pacote SMC de tensão 1

 

 

Diodo de barreira Schottky SS810C SMC/DO-214AB Esboço do pacote (Unidade: polegada ((mm)): 

100VRRM Diodo de barreira de superfície montado Schottky SS810C 70VRMS Pacote SMC de tensão 2

 

Informações sobre a embalagem:

Número da parte Pacote de componentes Quantidade Opção de embalagem
SS810C A partir de 1 de janeiro de 2018 3000 PCS por bobina de plástico de 13"
    800 PCS por bobina de plástico de 7"

 

 

100VRRM Diodo de barreira de superfície montado Schottky SS810C 70VRMS Pacote SMC de tensão 3

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