O Diodo de Barreira Schottky tem uma tensão inversa máxima repetitiva de 100V e uma corrente rectificada média de 1A, tornando-o ideal para uso em aplicações de diodos de retificador de ponte.O diodo tem uma corrente de fuga inversa de 30μA no VRRM, o que assegura a sua elevada eficiência de funcionamento.
A classificação típica da capacitância de junção em VR=0V para o Diodo de Barreira Schottky é de 100 pF.Esta classificação garante que o diodo tem um alto nível de desempenho e que é capaz de lidar com uma ampla gama de aplicações.
O Diodo de Barreira Schottky é um componente altamente fiável e eficiente, ideal para utilização numa ampla gama de aplicações.Se você está procurando por um diodo para uso em aplicações de diodo de retificador de ponte ou você precisa de um diodo que pode lidar com correntes de alta onda para a frente, o Diodo de Barreira Schottky é a escolha perfeita.
Este Diodo de Barreira Schottky é um diodo de componente eletrônico que pode ser usado como um transistor de diodo triodo ou em um circuito de diodo rectificador de ponte.
Parâmetro | Valor |
---|---|
Tipo de diodo do componente electrónico | Diodo de barreira Schottky |
Tensão de bloqueio de corrente contínua máxima | 100 V |
Voltagem inversa máxima de pico repetitivo | 70 V |
Tensão máxima RMS | 14V |
Voltagem máxima para a frente a IF=1A | 0.8V |
Corrente rectificada média | 1A |
Corrente de vazamento inversa no VRRM | 30 μA |
Capacidade de junção típica a VR=0V | 100 pF |
Intervalo de temperatura do cruzamento de funcionamento | -55 a + 150°C |
Intervalo de temperatura de armazenamento | -55 a + 150°C |
Este Diodo de Barreira Schottky é um Diodo Eletrostático, que é um tipo de Transistor de Diodo Triodo.
O diodo SBD110D1 é ideal para uso em circuitos de proteção contra descarga eletrostática (ESD), circuitos de fixação de tensão e circuitos de retificação de energia.A sua baixa corrente de vazamento inverso a VRRM de 30μA torna-a uma escolha ideal para aplicações de poupança de energiaA classificação típica de capacitância de junção em VR = 0V de 100pF também o torna adequado para uso em circuitos de alta frequência.
O diodo SBD110D1 pode operar dentro de uma ampla faixa de temperatura de -55 a +150 °C, tornando-o adequado para uso em ambientes adversos.Tem uma tensão máxima inversa de pico repetitivo de 100 V e uma tensão máxima RMS de 70 V, tornando-o adequado para utilização numa variedade de circuitos de alimentação.
O diodo SBD110D1 está disponível para compra em uma quantidade mínima de encomenda de 3000PCS / REEL, e é embalado por rolo de plástico de 7 ".Este diodo de componente electrónico é uma escolha fiável e rentável para várias aplicações, incluindo, entre outros: eletrónica automóvel, equipamento de comunicação e eletrónica de consumo.
O SBD110D1 possui uma tensão máxima reversa de pico repetitivo de 100V e uma tensão máxima RMS de 70V.Ele também tem uma corrente rectificada média de 1A e uma classificação típica de capacidade de junção em VR = 0V de 100pFA gama de temperaturas de junção de funcionamento e de armazenamento é de -55 a + 150 °C, tornando-a adequada para uma ampla gama de aplicações.
A quantidade mínima de encomenda para o nosso Diodo de Barreira Schottky é de 3000 PCS/REL, e é embalado por Relha de plástico de 7".
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P: Qual é a marca do Diodo de Barreira Schottky?
R: A marca do Diodo de Barreira Schottky é Socay.
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R: O número de modelo do diodo de barreira Schottky é SBD110D1.
P: Onde é fabricado o Diodo de Barreira Schottky?
R: O Diodo de Barreira Schottky é fabricado em Shenzhen, na China.
P: Que certificações tem o Diodo de Barreira Schottky?
R: O Diodo de Barreira Schottky tem certificações REACH, RoHS e ISO.
P: Qual é a quantidade mínima de encomenda do Diodo de Barreira Schottky?
R: A quantidade mínima de encomenda para o Diodo de Barreira Schottky é de 3000 PCS/REEL.
P: Como é embalado o Diodo de Barreira Schottky?
R: O Diodo de Barreira Schottky é embalado por bobina de plástico de 7".