Corrente de vazamento inversa no VRRM | 30 μA |
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Intervalo de temperatura de funcionamento e de temperatura de armazenamento | -55 a +150℃ |
Tensão de obstrução máxima da C.C. | 60 V |
Corrente retificada média | 1A |
Capacidade de junção típica a VR=0V | 125pF |
Tensão de obstrução máxima da C.C. | 100 V |
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Voltagem máxima para a frente a IF=1A | 0.8V |
Tensão máxima RMS | 70V |
Tensão reversa máxima repetitiva máxima | 100 V |
Capacidade de junção típica a VR=0V | 100 pF |
Tensão máxima RMS | 14V |
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Corrente de vazamento inversa no VRRM | 30 μA |
Capacidade de junção típica a VR=0V | 155 pF |
Corrente retificada média | 1A |
Voltagem máxima para a frente a IF=1A | 0.55V |
Tensão máxima RMS | 105V |
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VDC | 150 V |
Resistência térmica | 85°C/W |
SPQ | 3000 pcs |
Atual retificado dianteiro médio máximo | 2.0A |
Tensão máxima RMS | 100 V |
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Voltagem máxima para a frente a IF=2A | 70V |
SPQ | 3000 pcs |
Temperatura de funcionamento | -50-+125°C |
IFSM | 50A |
IFSM | 50A |
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VDC | 40 V |
Temperatura de funcionamento | -50-+125°C |
Atual retificado dianteiro médio máximo | 2.0A |
Intervalo de temperatura de armazenamento | -50-+150°C |
Atual retificado dianteiro médio máximo | 2.0A |
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VDC | 40 V |
Voltagem máxima para a frente a IF=2A | 0.55V |
Tensão máxima RMS | 28V |
Temperatura de funcionamento | -50-+125°C |
IFSM | 50A |
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Tensão máxima RMS | 140V |
Resistência térmica | 85°C/W |
Temperatura de funcionamento | -50-+125°C |
SPQ | 3000 pcs |
Nome do produto | Diodo de barreira de Schottky |
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Pacote | DO-214AC (SMA) |
Max. VRRM | 40 V |
Max. VRMS | 28V |
Max. VDC | 40 V |
Nome do SBD | Diodo de barreira de Schottky |
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Pacote SBD | DO-214AC (SMA) |
SBD Max. VRRM | 40 V |
Diodo Max. VRMS | 28V |
SBD Max. VDC | 40 V |