TSS Supressores de ondas de tiristores P0080TB Componente semicondutor DO-214AC SMA

5000 peças
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negotiable
preço
TSS Supressores de ondas de tiristores P0080TB Componente semicondutor DO-214AC SMA
Características Galeria Descrição de produto Peça umas citações
Características
Especificações
Ponto: Diodos TSS
Tipo de embalagem: DO-214AC/SMA
VDRM (min.): 6V
IDRM: 5 μA
Vs @100V/μS (máximo): 25 V
É (máximo): 800mA
Vt @It=2.2A (máximo): 4V
É (máximo.): 2.2A
Ah (Min.): 50mA
C0 @1MHz,2V Bias (tipo.): 130pF
Destacar:

Supressores de sobretensão do tiristor TSS

,

Supressores de tensão do tiristor P0080TB

,

Componente de semicondutor DO-214AC

Informação básica
Lugar de origem: Shenzen, Guangdong, China
Marca: SOCAY
Certificação: REACH,RoHS,ISO
Número do modelo: P0080TB
Condições de Pagamento e Envio
Detalhes da embalagem: Embalagens AMMO a granel
Tempo de entrega: 5-8 dias úteis
Descrição de produto

TSS Supressores de ondas de tiristores P0080TB Componente semicondutor DO-214AC SMA

 

Ficha de dados:PXXX0TB_v2101.2.pdf

 

 

Parte da ficha de dados como abaixo

 

Número da parte Marcação

 

VDRM

@IDRM= 5μA

 

VS

@100V/μS

Eu...S

VT

@IT=2,2A

Eu...T Eu...H

C0

@ 1MHz, 2Vbias

    V Mem. V Mmachado. mA Mmachado. V Max.. AMax.. mA Min. pFtipo.
P0080TB P008B 6 25 800 4 2.2 50 130
P0220TB P22B 15 30 800 4 2.2 50 120
P0300TB P03B 25 40 800 4 2.2 50 120
P0640TB P06B 58 77 800 4 2.2 120 80
P0720TB P07B 66 87 800 4 2.2 120 75
P0900TB P09B 75 98 800 4 2.2 120 70
P1100TB P11B 90 130 800 4 2.2 120 70
P1300TB P13B 120 160 800 4 2.2 120 60
P1500TB P15B 140 180 800 4 2.2 120 55
P1800TB P18B 170 220 800 4 2.2 120 50
P2300TB P23B 190 260 800 4 2.2 120 50
P2600TB P26B 220 300 800 4 2.2 120 45
P3100TB P31B 275 350 800 4 2.2 120 45
P3500TB P35B 320 400 800 4 2.2 150 40

Notas:

1 VSé medida a 100 KV/s;

2 A capacidade fora de estado é medida em VDC=2V, VRMS=1V, f=1MHz.

 

TSS Supressores de ondas de tiristores P0080TB Componente semicondutor DO-214AC SMA 0

 

Características:

 

L O projeto de montagem de superfície otimiza o uso do espaço da placa


Reagir rapidamente a voltagens transitórias em rápido aumento

 

 

Parâmetro Símbolo Valor Unidade
Intervalo de temperatura de armazenamento TSgt. -60 a +150 °C
Intervalo de temperatura do cruzamento de funcionamento Tj -40 a +150 °C
Corrente de pulso de pico repetitivo Eu...PP 80 A

 

 

 

Parâmetro Definição
Eu...S Corrente de comutação- corrente máxima necessária para a passagem para o estado ligado
Eu...DRM Corrente de vazamento- corrente máxima de saída medida em VDRM
Eu...H Corrente de retenção- corrente mínima necessária para manter o estado
Eu...T Corrente em estado activo- corrente contínua máxima nominal em estado activo
VS Voltagem de comutação- tensão máxima antes da passagem para a posição "on"
VDRM Voltagem máxima fora de estado- tensão máxima que pode ser aplicada mantendo-se desligada
VT Voltagem em estado activo- tensão máxima medida a corrente nominal em estado activo
C0 Capacidade fora de estado- capacidade típica medida no estado desligado

 

TSS Supressores de ondas de tiristores P0080TB Componente semicondutor DO-214AC SMA 1

TSS Supressores de ondas de tiristores P0080TB Componente semicondutor DO-214AC SMA 2

TSS Supressores de ondas de tiristores P0080TB Componente semicondutor DO-214AC SMA 3

 

TSS Supressores de ondas de tiristores P0080TB Componente semicondutor DO-214AC SMA 4

 

Detalhes da embalagem

 

Esboço Reel (pcs) Por embalagem (pcs) Diâmetros dos rolos (mm)  
Gravação 5,000 80,000 330  

 

Método de selecção

 

1Para conhecer o produto do cliente, tensão de funcionamento, porta de aplicação, nível de proteção.

2"Tensão de estado de ruptura" > tensão de trabalho de CC no circuito.

3"Escolher o valor de capacidade e a taxa de fluxo do dispositivo de acordo com a porta de aplicação e o nível de protecção.

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