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DO-214AA SMB Pacote Supressores de Ondas do Tiristor TSS P0080SB VDRM 6V VS 25V

2500pcs
MOQ
negotiable
preço
DO-214AA SMB Pacote Supressores de Ondas do Tiristor TSS P0080SB VDRM 6V VS 25V
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Características
Especificações
Descrição: Supressores de ondas de tiristores (TSS)
Tipo de embalagem: DO-214AA/SMB
VDRM (min.): 6V
IDRM: 5 μA
Vs @100V/μS (máximo): 25 V
É (máximo): 800mA
Vt @It=2.2A (máximo): 4V
É (máximo.): 2.2A
Ah (Min.): 50mA
C0 @1MHz,2V Bias (tipo.): 80pF
Destacar:

Supressores de ondulação do tiristor SMB

,

DO-214AA Supressores de ondas de tiristores

,

P0080SB
Informação básica
Lugar de origem: Shenzen, Guangdong, China
Marca: SOCAY
Certificação: REACH,RoHS,ISO
Número do modelo: P0080SB
Documento: Folheto PDF do produto
Condições de Pagamento e Envio
Detalhes da embalagem: Embalagens AMMO a granel
Tempo de entrega: 5-8 dias úteis
Descrição de produto

(TSS) P0080SB DO-214AA (SMB) Pacote Supressores de Ondas do Tiristor VDRM 6V VS 25V Marcação P008B

 

Ficha de dados:PXXX0SB_v2103.1.pdf

 

Número da parte Marcação VDRM@IDRM= 5μA

VS ①

@100V/μS

 VT @IT=2,2A Eu...S Eu...T Eu...H

C0 2

@ 1MHz, 2V de distorção
    VMin VMax. VMax. mAMax. AMax. mAMin pF tipo
P0080SB P008B 6 25 4 800 2.2 50 80
P0300SB P03B 25 40 4 800 2.2 50 80
P0640SB P06B 58 77 4 800 2.2 150 80
P0720SB P07B 65 88 4 800 2.2 150 75
P0900SB P09B 75 98 4 800 2.2 150 70
P1100SB P11B 90 130 4 800 2.2 150 70
P1300SB P13B 120 160 4 800 2.2 150 65
P1500SB P15B 140 180 4 800 2.2 150 65
P1800SB P18B 170 220 4 800 2.2 150 65
P2300SB P23B 190 260 4 800 2.2 150 60
P2600SB P26B 220 300 4 800 2.2 150 60
P3100SB P31B 275 350 4 800 2.2 150 50
P3500SB P35B 320 400 4 800 2.2 150 50
P4200SB P42B 400 520 4 800 2.2 150 40

Notas:

1 V é medido a 100 KV/s.

2 A capacidade fora de estado é medida em VDC=2V, VRMS=1V, f=1MHz.

Sobre o TSS

 

Os TSS são caracterizados por uma condução precisa, uma resposta rápida, uma elevada capacidade de absorção de ondas, simetria biaxial e elevada fiabilidade.

 

DO-214AA SMB Pacote Supressores de Ondas do Tiristor TSS P0080SB VDRM 6V VS 25V 0

Descrição:

A série PXXX0SB é projetada para proteger equipamentos de banda larga, como modems, cartões de linha, CPE e DSL, de danos causados por transientes de sobrevoltagem.A série fornece uma solução de montagem de superfície que permite que os equipamentos cumpram as normas regulatórias globais.

 

Características:

u Sobressalto de baixa tensão

u Baixa tensão em estado de funcionamento

u Não degrada a capacidade de sobrecarga após eventos de sobrecarga múltiplos dentro do limite

u Falha de curto-circuito quando a sobrecarga excede os valores nominais

u Baixa capacidade

 

Parâmetro Definição
Eu...S Corrente de comutação- corrente máxima necessária para a passagem para o estado ligado
Eu...DRM Corrente de vazamento- corrente máxima de saída medida em VDRM
Eu...H Corrente de retenção- corrente mínima necessária para manter o estado
Eu...T Corrente em estado activo- corrente contínua máxima nominal em estado activo
VS Voltagem de comutação- tensão máxima antes da passagem para a posição "on"
VDRM Voltagem máxima fora de estado- tensão máxima que pode ser aplicada mantendo-se desligada
VT Voltagem em estado activo- tensão máxima medida a corrente nominal em estado activo
C0 Capacidade fora de estado- capacidade típica medida no estado desligado

 

 

Série 2/10 μS1 8/20 μS1 10/160 μS1 10/560 μS1 10/1000 μS1 5/310 μS1

Eu...TSM

50/60 Hz

 di/dt
  2/10 μS2 1.2/50 μS2 10/160 μS2 10/560 μS2 10/1000 μS2 10/700 μS2    
  Um minuto. Um minuto. Um minuto. Um minuto. Um minuto. AMin Um minuto. Amperios/μs máximo
B 250 250 150 100 80 100 30 500

 

Notas:

  • Forma de onda da corrente em μs
  • Forma de onda da tensão em μs

 

 

 

 

 

- Corrente nominal de pulso de pico (I)PP) é repetitivo e garantido durante toda a vida do produto.

- Eu...PPClassificações aplicáveis na gama de temperaturas de -40oC a +85oC

- O dispositivo deve estar inicialmente em equilíbrio térmico com -40°C < TJ< + 150°C

 

 

 

 

 

 

 

 

Bloqueio de tensão de alta temperatura 80% VDRM nominal (VAC Peak) +125°C ou +150°C, Material de Chumbo Liga de Cobre Alta Tensão Temporária Bloqueio 504 ou 1008 horas MIL-STD-750 (Método 1040) JEDEC, JESD22-A-101  
     
Ciclos de temperatura -65°C a +150°C, 15 min. de duração, 10 até 100 ciclos.  
     
Temperatura e Umidade Biasadas 52 VDC (+85°C) 85% RH, 504 até 1008 h. EIA/ JEDEC, JESD22-A-101  
Armazenamento a alta temperatura + 150°C 1008 h. MIL-STD-750 (Método 1031) JEDEC, JESD22-A-101  
Armazenamento a baixa temperatura -65°C, 1008 horas.  
Choque térmico 0°C a +100°C, 5 min. de permanência, 10 sec. de transferência, choque térmico 10 ciclos.  
Autoclave (Teste na panela de pressão) +121°C, 100%RH, 2 atm, 24 a 168 h. EIA/Teste no fogão) JEDEC, JESD22-A-102  
Resistência ao calor da solda +260°C, 30 s. MIL-STD-750 (Método 2031  
Nível de sensibilidade à umidade 85% RH, +85°C, 168 horas, 3 ciclos de refluxo Nível (+260°C Pico).  

 

Material de chumbo Ligação de cobre  
Terminar o terminal 100% revestido de estanho mate  
Material do corpo Epoxi reconhecido pela UL que cumpre a classificação de inflamabilidade 94V-0  

 

 

Número da parte Pacote de componentes Quantidade Embalagem Opção Especificação da embalagem  
Pxxx0SB DO-214AA 2500 Tape & Reel - 12mm/13′′ de fita EIA -481 - D  

 

 

 

 

DO-214AA SMB Pacote Supressores de Ondas do Tiristor TSS P0080SB VDRM 6V VS 25V 1

DO-214AA SMB Pacote Supressores de Ondas do Tiristor TSS P0080SB VDRM 6V VS 25V 2

DO-214AA SMB Pacote Supressores de Ondas do Tiristor TSS P0080SB VDRM 6V VS 25V 3

DO-214AA SMB Pacote Supressores de Ondas do Tiristor TSS P0080SB VDRM 6V VS 25V 4

Seleção de tubos de descarga de semicondutores:

Ao selecionar o STS, devem, em geral, ser seguidos os seguintes princípios:

1. Seleção da tensão de corte VDRM: a tensão de corte deve ser superior à tensão máxima de funcionamento do circuito protegido;

2. Seleção da tensão de transição VBO: a tensão de transição deve ser inferior à tensão máxima de pico transitória que o equipamento pode suportar;

3Selecção da corrente de retenção IH: a corrente de retenção deve ser superior à corrente de funcionamento e à corrente de curto-circuito do equipamento;

4. Seleção da capacidade parasitária C: A capacidade parasitária é selecionada de acordo com a perda de inserção permitida pelo circuito ou a frequência de transmissão do sinal;

5. Seleção de corrente de sobretensão: diferentes níveis de corrente de sobretensão são selecionados de acordo com os requisitos do circuito ou padrões de teste de sobretensão.

 

etiqueta:

Dispositivos de protecção contra ondas de tensão do tiristor

Componente de semicondutor

Protector contra sobretensão do tiristor TSS

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